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Wolfspeed C3M0075120D
स्पॉट इन्वेंट्री: 12150
MOQ: 1
5 मूल्य स्तर
- उत्पादक मॉडल :C3M0075120D
- उत्पादक :Wolfspeed
- Dasenic मॉडल :C3M0075120D-DS
- दस्तावेज़ : C3M0075120D दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3 TO-247-3
- पैकिंग :TO-247-3
- यूनिट मूल्यं: $6.5783कुल: $6.58
मात्रा | यूनिट मूल्यं | सहेजें |
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1-10 | $6.5783 | - |
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Wolfspeed C3M0075120D तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / केस:TO-247-3
तकनीकी:SiCFET (Silicon Carbide)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247-3
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):113.6W (Tc)
एफईटी प्रकार:N-Channel
एफईटी सुविधा:-
ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):1200 V
वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:30A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:90mOhm @ 20A, 15V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 5mA
गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:54 nC @ 15 V
इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:1350 pF @ 1000 V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):15V
वीजीएस (अधिकतम):+19V, -8V
C3M0075120D Wolfspeed द्वारा प्रदान किया गया
वुल्फस्पीड एक पावरहाउस सेमीकंडक्टर कंपनी है जो सिलिकॉन कार्बाइड और GaN प्रौद्योगिकियों पर केंद्रित है। हम सिलिकॉन से सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और GaN में परिवर्तन का नेतृत्व कर रहे हैं क्योंकि हम सेमीकंडक्टर बाजारों के भविष्य को आकार दे रहे हैं: इलेक्ट्रिक वाहनों में परिवर्तन, तेज़ 5G नेटवर्क की ओर बढ़ना, नवीकरणीय ऊर्जा और ऊर्जा भंडारण का विकास, और औद्योगिक अनुप्रयोगों की उन्नति। नई तकनीक अपनाने और परिवर्तन करने के 35 से अधिक वर्षों के बाद, हमारे वुल्फस्पीड® पावर और रेडियो फ़्रीक्वेंसी (RF) सेमीकंडक्टर बेजोड़ विशेषज्ञता और क्षमता के माध्यम से उद्योग का नेतृत्व कर रहे हैं।
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