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Wolfspeed C4D20120H
स्पॉट इन्वेंट्री: 4692
MOQ: 1
5 मूल्य स्तर
- उत्पादक मॉडल :C4D20120H
- उत्पादक :Wolfspeed
- Dasenic मॉडल :C4D20120H-DS
- दस्तावेज़ : C4D20120H दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : ZRECTM 20A 1200V SIC SCHOTTKY DI
- पैकिंग :-
- यूनिट मूल्यं: $3.9411कुल: $3.94
मात्रा | यूनिट मूल्यं | सहेजें |
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1-1 | $3.9411 | - |
2-10 | $3.9312 | 0.3% सहेजें |
11-25 | $3.8961 | 1.1% सहेजें |
26-100 | $3.8439 | 2.5% सहेजें |
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Wolfspeed C4D20120H तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
उत्पाद स्थिति:Active
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / केस:TO-247-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247-2
रफ़्तार:No Recovery Time > 500mA (Io)
डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):54A (DC)
वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.8 V @ 20 A
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:200 µA @ 1200 V
धारिता @ Vr, F:1.5nF @ 0V, 1MHz
वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1200 V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):0 ns
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 175°C
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.10.0080
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C4D20120H Wolfspeed द्वारा प्रदान किया गया
वुल्फस्पीड एक पावरहाउस सेमीकंडक्टर कंपनी है जो सिलिकॉन कार्बाइड और GaN प्रौद्योगिकियों पर केंद्रित है। हम सिलिकॉन से सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और GaN में परिवर्तन का नेतृत्व कर रहे हैं क्योंकि हम सेमीकंडक्टर बाजारों के भविष्य को आकार दे रहे हैं: इलेक्ट्रिक वाहनों में परिवर्तन, तेज़ 5G नेटवर्क की ओर बढ़ना, नवीकरणीय ऊर्जा और ऊर्जा भंडारण का विकास, और औद्योगिक अनुप्रयोगों की उन्नति। नई तकनीक अपनाने और परिवर्तन करने के 35 से अधिक वर्षों के बाद, हमारे वुल्फस्पीड® पावर और रेडियो फ़्रीक्वेंसी (RF) सेमीकंडक्टर बेजोड़ विशेषज्ञता और क्षमता के माध्यम से उद्योग का नेतृत्व कर रहे हैं।
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Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!
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Mike R.
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