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Wolfspeed CPMF-1200-S080B
स्पॉट इन्वेंट्री: 63
MOQ: 1
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- उत्पादक मॉडल :CPMF-1200-S080B
- उत्पादक :Wolfspeed
- Dasenic मॉडल :CPMF-1200-S080B-DS
- दस्तावेज़ : CPMF-1200-S080B दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : SICFET N-CH 1200V 50A DIE
- पैकिंग :-
- यूनिट मूल्यं: $0.0000कुल: $0.01
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Wolfspeed CPMF-1200-S080B तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
उत्पाद स्थिति:Obsolete
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:Die
तकनीकी:SiCFET (Silicon Carbide)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Die
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):313mW (Tj)
एफईटी प्रकार:N-Channel
एफईटी सुविधा:-
ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):1200 V
वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:50A (Tj)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:110mOhm @ 20A, 20V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 1mA
गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:90.8 nC @ 20 V
इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:1915 pF @ 800 V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):20V
वीजीएस (अधिकतम):+25V, -5V
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
CPMF-1200-S080B Wolfspeed द्वारा प्रदान किया गया
वुल्फस्पीड एक पावरहाउस सेमीकंडक्टर कंपनी है जो सिलिकॉन कार्बाइड और GaN प्रौद्योगिकियों पर केंद्रित है। हम सिलिकॉन से सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और GaN में परिवर्तन का नेतृत्व कर रहे हैं क्योंकि हम सेमीकंडक्टर बाजारों के भविष्य को आकार दे रहे हैं: इलेक्ट्रिक वाहनों में परिवर्तन, तेज़ 5G नेटवर्क की ओर बढ़ना, नवीकरणीय ऊर्जा और ऊर्जा भंडारण का विकास, और औद्योगिक अनुप्रयोगों की उन्नति। नई तकनीक अपनाने और परिवर्तन करने के 35 से अधिक वर्षों के बाद, हमारे वुल्फस्पीड® पावर और रेडियो फ़्रीक्वेंसी (RF) सेमीकंडक्टर बेजोड़ विशेषज्ञता और क्षमता के माध्यम से उद्योग का नेतृत्व कर रहे हैं।
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रेटिंग और समीक्षाएं
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