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Diodes Incorporated DGD2012S8-13
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
उत्पादक मॉडल :DGD2012S8-13
उत्पादक :Diodes Incorporated
Dasenic मॉडल :DGD2012S8-13-DS
दस्तावेज़ :
DGD2012S8-13 दस्तावेज़
DGD2012S8-13 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 2.0362 | $ 20.36 |
| 2500+ | $ 1.1312 | $ 2828 |
| 5000+ | $ 1.0746 | $ 5373 |
| 12500+ | $ 1.1312 | $ 14140 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 2052
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पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 2.0362
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DGD2012S8-13 सूचना
Diodes Incorporated DGD2012S8-13 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- इनपुट प्रकार:Non-Inverting
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SO
- वोल्टेज - आपूर्ति:10V ~ 20V
- चैनल प्रकार:Independent
- संचालित विन्यास:Half-Bridge
- ड्राइवरों की संख्या:2
- गेट का प्रकार:N-Channel MOSFET
- लॉजिक वोल्टेज - V I L, V I H:0.8V, 2.5V
- वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):1.9A, 2.3A
- हाई साइड वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप):200 V
- उदय / पतन समय (सामान्य):40ns, 20ns
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8542.39.0001
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
DGD2012S8-13 द्वारा उपलब्ध कराया गया Diodes Incorporated
डायोड्स इनकॉर्पोरेटेड (नैस्डैक: DIOD) व्यापक असतत, तर्क, एनालॉग और मिश्रित-संकेत अर्धचालक बाजारों के भीतर उच्च गुणवत्ता वाले अनुप्रयोग-विशिष्ट मानक उत्पादों का एक अग्रणी वैश्विक निर्माता और आपूर्तिकर्ता है। डायोड्स ऑटोमोटिव, औद्योगिक, कंप्यूटिंग, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और संचार बाजारों में सेवा प्रदान करता है। हमारे उत्पाद पोर्टफोलियो में डायोड, ट्रांजिस्टर, MOSFETs, सुरक्षा उपकरण, तर्क, वोल्टेज नियामक, एम्पलीफायर, सेंसर और कन्वर्टर्स और एलईडी ड्राइवर जैसे पावर प्रबंधन उपकरण शामिल हैं। हम टाइमिंग और कनेक्टिविटी समाधान भी प्रदान करते हैं। डायोड्स की विनिर्माण सुविधाओं में ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 (ऑटोमोटिव उत्पादों के लिए) और C-TPAT में अंतरराष्ट्रीय स्तर पर मान्यता प्राप्त प्रमाणन हैं, जो बेहतर गुणवत्ता नियंत्रण के प्रति हमारी प्रतिबद्धता को रेखांकित करते हैं और गुणवत्ता और स्थिरता को प्राथमिकता देने वाले OEM के लिए एक पसंदीदा विक्रेता के रूप में हमारी विश्वसनीयता को बढ़ाते हैं। हमारा मुख्यालय टेक्सास, अमेरिका में है, तथा हमारे पास डिजाइन, विपणन और इंजीनियरिंग केंद्र हैं, साथ ही दुनिया भर में सुविधाएं हैं, तथा दुनिया भर में सहायता कार्यालय भी हैं।
Diodes Incorporated संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
