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Goford Semiconductor G06NP06S2
N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
उत्पादक मॉडल :G06NP06S2
उत्पादक :Goford Semiconductor
Dasenic मॉडल :G06NP06S2-DS
दस्तावेज़ :
G06NP06S2 दस्तावेज़
G06NP06S2 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.3548 | $ 3.55 |
| 4000+ | $ 0.1971 | $ 788.4 |
| 16000+ | $ 0.1818 | $ 2908.8 |
| 32000+ | $ 0.1638 | $ 5241.6 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 19200
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
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G06NP06S2 सूचना
Goford Semiconductor G06NP06S2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2W (Tc), 2.5W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
- F E Tタイプ:N and P-Channel
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G06NP06S2 द्वारा उपलब्ध कराया गया Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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