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Goford Semiconductor GC20N65F
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
उत्पादक मॉडल :GC20N65F
उत्पादक :Goford Semiconductor
Dasenic मॉडल :GC20N65F-DS
दस्तावेज़ :
GC20N65F दस्तावेज़
GC20N65F दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 100+ | $ 1.2384 | $ 123.84 |
| 15000+ | $ 1.1430 | $ 17145 |
| 30000+ | $ 1.0287 | $ 30861 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 38049
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1.2384
कुल :$ 1.24
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GC20N65F सूचना
Goford Semiconductor GC20N65F तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
- 消費電力（最大）:34W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1724 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GC20N65F द्वारा उपलब्ध कराया गया Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
