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Integra Technologies IGN1011L70
उत्पादक मॉडल :IGN1011L70
उत्पादक :Integra Technologies
Dasenic मॉडल :IGN1011L70-DS
दस्तावेज़ : IGN1011L70 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 1511
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 370
कुल :$ 370.00
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IGN1011L70 सूचना
Integra Technologies IGN1011L70 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Active
- 電圧 - 定格:120 V
- パッケージ/ケース:PL32A2
- 頻度:1.03GHz ~ 1.09GHz
- 定格電流(アンペア):-
- サプライヤーデバイスパッケージ:PL32A2
- 電力 - 出力:80W
- トランジスタタイプ:GaN HEMT
- 得:22dB
- 電圧 - テスト:50 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:22 mA
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IGN1011L70 द्वारा उपलब्ध कराया गया Integra Technologies
Integra Technologies は、世界中の最高性能のレーダー システム向けに、最先端の RF パワー ソリューションを設計、製造しています。当社の製品には、RF パワー トランジスタ GaN、RF パワー トランジスタ シリコン、50 オーム RF パワー トランジスタ、RF パワー アンプ パレットなどがあります。当社は高性能市場に焦点を当て、航空宇宙および防衛レーダー、航空管制、気象レーダー、航空電子工学、データ リンク、電子戦、医療および産業アプリケーション向けに、既製、セミカスタム、カスタム ソリューションを提供しています。当社は、最先端の高出力プリマッチおよびフルマッチ RF パワー トランジスタと統合 RF パワー アンプ モジュールの完全なセレクションで、現在の UHF から X バンドのレーダー システム アプリケーションをサポートするだけでなく、レガシー プログラムとカスタム設計要件のサポートにも取り組んでいます。
Integra Technologies संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।