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ISSI® IS43TR16512B-107MBL
उत्पादक मॉडल :IS43TR16512B-107MBL
उत्पादक :ISSI®
Dasenic मॉडल :IS43TR16512B-107MBL-DS
दस्तावेज़ : IS43TR16512B-107MBL दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 2866
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 36.92
कुल :$ 36.92
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IS43TR16512B-107MBL सूचना
ISSI® IS43TR16512B-107MBL तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:96-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR3
- サプライヤーデバイスパッケージ:96-TWBGA (10x14)
- メモリサイズ:8Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.425V ~ 1.575V
- クロック周波数:933 MHz
- アクセス時間:20 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:512M x 16
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43TR16512B-107MBL द्वारा उपलब्ध कराया गया ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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