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IXYS IXDI602SI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
उत्पादक मॉडल :IXDI602SI
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXDI602SI-DS
दस्तावेज़ :
IXDI602SI दस्तावेज़
IXDI602SI दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 3.1500 | $ 3.15 |
| 10+ | $ 1.9170 | $ 19.17 |
| 100+ | $ 1.6200 | $ 162 |
| 200+ | $ 1.3860 | $ 277.2 |
| 500+ | $ 1.3050 | $ 652.5 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 3255
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.15
कुल :$ 3.15
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IXDI602SI सूचना
IXYS IXDI602SI तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 35V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:7.5ns, 6.5ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDI602SI द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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