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IXYS IXDN504D1
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
उत्पादक मॉडल :IXDN504D1
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXDN504D1-DS
दस्तावेज़ :
IXDN504D1 दस्तावेज़
IXDN504D1 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
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IXDN504D1 सूचना
IXYS IXDN504D1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:6-VDFN Exposed Pad
- इनपुट प्रकार:Non-Inverting
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:6-DFN (4x5)
- वोल्टेज - आपूर्ति:4.5V ~ 30V
- चैनल प्रकार:Independent
- संचालित विन्यास:Low-Side
- ड्राइवरों की संख्या:2
- गेट का प्रकार:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- लॉजिक वोल्टेज - V I L, V I H:0.8V, 3V
- वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):4A, 4A
- हाई साइड वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप):-
- उदय / पतन समय (सामान्य):9ns, 8ns
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXDN504D1 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
1983 में सिलिकॉन वैली में अपनी स्थापना के बाद से, IXYS कॉर्पोरेशन (NASDAQ:IXYS) पावर सेमीकंडक्टर, सॉलिड स्टेट रिले, हाई वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट और माइक्रोकंट्रोलर के विकास में दुनिया भर में अग्रणी रहा है। औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता, चिकित्सा और परिवहन उद्योगों में 3,500 से अधिक के अंतिम ग्राहक आधार के साथ, IXYS उन्नत सेमीकंडक्टर का दुनिया भर में मान्यता प्राप्त प्रदाता है। IXYS विभिन्न सेमीकंडक्टर तकनीकों पर ध्यान केंद्रित करता है, जिसमें पावर MOSFETs, IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर), रेक्टिफायर, थाइरिस्टर, डायोड और अन्य असतत और एकीकृत सेमीकंडक्टर समाधान शामिल हैं। कंपनी मिश्रित-सिग्नल और एनालॉग IC, RF पावर एम्पलीफायर और पावर मैनेजमेंट IC भी बनाती है। जनवरी 2018 में, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) ने IXYS कॉर्पोरेशन का अधिग्रहण पूरा कर लिया और IXYS को NASDAQ से हटा दिया गया।
IXYS संबंधित उत्पादक
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