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IXYS IXS839S1T/R

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :IXS839S1T/R
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXS839S1T/R-DS
दस्तावेज़ :pdf download IXS839S1T/R दस्तावेज़
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वर्णन : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
स्पॉट इन्वेंट्री: 10
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
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वितरण :
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IXS839S1T/R सूचना

  • IXYS IXS839S1T/R तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
  • 電圧 - 供給:4.5V ~ 5.5V
  • チャンネルタイプ:Synchronous
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2V
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):2A, 4A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):24 V
  • 上昇/下降時間(標準):20ns, 15ns
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.39.0001
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXS839S1T/R द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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