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Power Integrations 2SB315B-FF800R17KP4_B2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
उत्पादक मॉडल :2SB315B-FF800R17KP4_B2
उत्पादक :Power Integrations
Dasenic मॉडल :2SB315B-FF800R17KP4_B2-DS
दस्तावेज़ :
2SB315B-FF800R17KP4_B2 दस्तावेज़
2SB315B-FF800R17KP4_B2 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
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| मात्रा | मापक | कुल |
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2SB315B-FF800R17KP4_B2 सूचना
Power Integrations 2SB315B-FF800R17KP4_B2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- 入力タイプ:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 電圧 - 供給:0V ~ 16V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:-
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8473.30.1180
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2SB315B-FF800R17KP4_B2 द्वारा उपलब्ध कराया गया Power Integrations
1988 年に設立された Power Integrations, Inc. (NASDAQ: POWI) は、高電圧電力変換用半導体技術のリーディングイノベーターです。当社の PowiGaN™ 窒化ガリウム技術や EcoSmart™ エネルギー効率化技術などの省エネ技術は、毎年数十億キロワット時のエネルギーの無駄を防ぎ、当社の高度に統合されたチップは毎年数十億個の電子部品を節約しています。当社は、AC-DC 変換、LED ドライバー、ゲート ドライバー、モーター ドライバー、自動車ソリューションなど、革新的な製品とソリューションを提供しています。当社の製品は、クリーン電力エコシステムの重要な構成要素であり、家電製品、モバイル デバイス、コンピューター、無数の産業用アプリケーションなど、幅広いアプリケーションで再生可能エネルギーの生成と電力の効率的な伝送と消費を可能にします。
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