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Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-WN
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
- उत्पादक मॉडल :CP406-CWDM3011N-WN
- उत्पादक :Central Semiconductor
- Dasenic मॉडल :CP406-CWDM3011N-WN-DS
- दस्तावेज़ :
CP406-CWDM3011N-WN दस्तावेज़ - वर्णन : MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
- पैकिंग :-
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Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-WN तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:Die
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Die
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):1.15W (Ta)
एफईटी प्रकार:N-Channel
एफईटी सुविधा:-
ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):30 V
वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:9.93A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:13mOhm @ 1A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:3V @ 250µA
गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:-
इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम):±20V
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-WN
सेंट्रल सेमीकंडक्टर में, हम असतत सेमीकंडक्टर के बारे में गंभीर हैं। हमारा व्यवसाय हमारे द्वारा निर्मित उपकरणों में पूर्णता की खोज है; हमारे उत्पादों की डिलीवरी; और हमारे द्वारा प्रदान की जाने वाली सेवाएँ; हर समय, हर समय। विभिन्न अनुप्रयोगों के अनुरूप, हमारे उत्पाद सरफ़ेस माउंट, थ्रू-होल और नंगे डाई में उपलब्ध हैं। हम मानक उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला का उत्पादन करते हैं, लेकिन हम कस्टम, विशेष और अन्य आला उत्पादों और सेवाओं में उत्कृष्टता प्राप्त करते हैं। जैसा कि हम ग्राहकों की बात सुनते हैं और उद्योग में होने वाले बदलावों पर नज़र रखते हैं, हमारी उत्पाद डिज़ाइन टीमें ग्राहकों की लगातार बदलती आवश्यकताओं, साथ ही उद्योग के रुझानों को पूरा करने के लिए लगातार नए उत्पाद विकसित कर रही हैं।
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