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Flip Electronics NTMFD0D9N02P1E
IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
उत्पादक मॉडल :NTMFD0D9N02P1E
उत्पादक :Flip Electronics
Dasenic मॉडल :NTMFD0D9N02P1E-DS
दस्तावेज़ :
NTMFD0D9N02P1E दस्तावेज़
NTMFD0D9N02P1E दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 1.1160 | $ 1.12 |
| 25+ | $ 1.0980 | $ 27.45 |
| 100+ | $ 1.0530 | $ 105.3 |
| 500+ | $ 1.0080 | $ 504 |
| 1000+ | $ 0.9450 | $ 945 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 4107
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1.116
कुल :$ 1.12
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NTMFD0D9N02P1E सूचना
Flip Electronics NTMFD0D9N02P1E तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:8-PowerWDFN
- शक्ति - अधिकतम:960mW (Ta), 1.04W (Ta)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-PQFN (5x6)
- एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- एफईटी सुविधा:Standard
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):30V, 25V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:14A (Ta), 30A (Ta)
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 340µA, 2V @ 1mA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.29.0095
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTMFD0D9N02P1E द्वारा उपलब्ध कराया गया Flip Electronics
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