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GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
उत्पादक मॉडल :GB05SLT12-252
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :GB05SLT12-252-DS
दस्तावेज़ :
GB05SLT12-252 दस्तावेज़
GB05SLT12-252 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 10.9890 | $ 109.89 |
| 2500+ | $ 6.1050 | $ 15262.5 |
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मात्रा :
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GB05SLT12-252 सूचना
GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):5A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 2 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:260pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB05SLT12-252 द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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