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Certifications for ISO45001
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  • Goford Semiconductor GC11N65K

    N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
  • part number has RoHS
  • उत्पादक मॉडल :GC11N65K
  • उत्पादक :Goford Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :GC11N65K-DS
  • दस्तावेज़ :pdf download GC11N65K दस्तावेज़
  • वर्णन : N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
  • पैकिंग :-
  • मात्रा :
    मापक : $ 1.0498कुल : $ 1.05
  • प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
  • शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
  • वितरण :
    dhlupsfedex
  • भुगतान :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
स्पॉट इन्वेंट्री: 46100
( MOQ : 1 PCS )
मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रामापककुल
10 +$ 1.0498$ 10.50
2500 +$ 0.5832$ 1458.00
15000 +$ 0.5382$ 8073.00
30000 +$ 0.4851$ 14553.00

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Goford Semiconductor GC11N65K तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
消費電力(最大):78W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:21 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:901 pF @ 50 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GC11N65K
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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