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Goford Semiconductor GT100N12M

Name: GT100N12M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: GT100N12M-DS
Price: 0.6566 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

स्पॉट इन्वेंट्री: 4800

MOQ: 1

4 मूल्य स्तर

उत्पादक मॉडल :GT100N12M
उत्पादक :Goford Semiconductor
Dasenic मॉडल :GT100N12M-DS
दस्तावेज़ : GT100N12M दस्तावेज़ PDF
वर्णन : N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
पैकिंग :-
यूनिट मूल्यं: $0.6566
कुल: $0.66

मात्रा	यूनिट मूल्यं	सहेजें
1-10	$0.6566	-
11-800	$0.5472	16.7% सहेजें
801-15200	$0.5049	23.1% सहेजें
15201-30400	$0.4545	30.8% सहेजें

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Goford Semiconductor GT100N12M तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

उत्पाद स्थिति:Active

परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount

पैकेज / केस:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-263

शक्ति अपव्यय (अधिकतम):120W (Tc)

एफईटी प्रकार:N-Channel

एफईटी सुविधा:-

ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):120 V

वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:70A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:10mOhm @ 35A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:3.5V @ 250µA

गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:50 nC @ 10 V

इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:3050 pF @ 60 V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):10V

वीजीएस (अधिकतम):±20V

ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant

एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

पहुंच स्थिति:REACH Unaffected

यूएस ईसीसीएन:EAR99

एचटीएस यूएस:8541.29.0095

चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

GT100N12M Goford Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया

1995 में अपनी स्थापना के बाद से, गोफोर्ड सेमीकंडक्टर अमेरिका, हांगकांग, ऑस्ट्रेलिया, शेन्ज़ेन और जियांग्सू में कार्यालयों के साथ एक वैश्विक कंपनी के रूप में विकसित हो रही है। हम हमेशा पावर मॉसफ़ेट्स उत्पादों के अनुसंधान और विकास और बिक्री में समर्पित रहे हैं। हम बाजार में लागत प्रभावी उत्पाद प्रदान करने के लिए ऊर्जा दक्षता, गतिशीलता और विश्वसनीयता पर ध्यान केंद्रित करते हैं।