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Infineon Technologies BTS3205NHUMA1

स्पॉट इन्वेंट्री: 2743
MOQ: 1
2 मूल्य स्तर
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Infineon Technologies BTS3205NHUMA1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Power Distribution Switches, Load Drivers
उत्पाद स्थिति:Obsolete
विशेषताएँ:Slew Rate Controlled
इंटरफ़ेस:Logic
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-SOT223-4
शृंखला:HITFET®
परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
अनुपात-इनपुट:आउटपुट:1:1
इनपुट प्रकार:Non-Inverting
उत्पादन का प्रकार:N-Channel
वोल्टेज-आपूर्ति( Vcc/ Vdd):Not Required
आउटपुट की संख्या:1
दोष संरक्षण:Current Limiting (Adjustable), Over Load, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
आउटपुटकॉन्फ़िगरेशन:Low Side
Rds On(टाइप):700mOhm
वोल्टेज-लोड:10V
वर्तमान-आउटपुट(अधिकतम):520mA
स्विच प्रकार:General Purpose
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BTS3205NHUMA1 Infineon Technologies द्वारा प्रदान किया गया
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) पावर सिस्टम और IoT में एक वैश्विक सेमीकंडक्टर लीडर है। Infineon अपने उत्पादों और समाधानों के साथ डीकार्बोनाइजेशन और डिजिटलीकरण को बढ़ावा देता है। कंपनी के सेमीकंडक्टर उत्पादों में ASIC, बैटरी प्रबंधन IC, घड़ियाँ और टाइमिंग समाधान, ESD और सर्ज प्रोटेक्शन, मेमोरी माइक्रोकंट्रोलर, RF, सुरक्षा और स्मार्ट कार्ड समाधान, सेंसर, छोटे सिग्नल ट्रांजिस्टर और डायोड, ट्रांसीवर, वायरलेस कनेक्टिविटी, सॉफ़्टवेयर और बहुत कुछ शामिल हैं। इन उत्पादों का उपयोग ऑटोमोटिव, ग्रीन इंडस्ट्रियल पावर, पावर मैनेजमेंट, सेंसिंग समाधान और IoT अनुप्रयोगों में सुरक्षा में किया जाता है। Infineon Technologies की स्थापना 1999 में Siemens AG से अलग होकर की गई थी। कंपनी का मुख्यालय जर्मनी के म्यूनिख के पास न्यूबिबर्ग में है और दुनिया भर में इसके लगभग 56,200 कर्मचारी और 155 स्थान हैं।

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रेटिंग और समीक्षाएं
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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