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ISSI® IS42S32160A-75BLI
उत्पादक मॉडल :IS42S32160A-75BLI
उत्पादक :ISSI®
Dasenic मॉडल :IS42S32160A-75BLI-DS
दस्तावेज़ : IS42S32160A-75BLI दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 13
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पैकिंग :-
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शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
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IS42S32160A-75BLI सूचना
ISSI® IS42S32160A-75BLI तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- पैकेज / केस:90-LFBGA
- तकनीकी:SDRAM
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
- वोल्टेज-आपूर्ति:3V ~ 3.6V
- मेमोरी का आकार:512Mbit
- मेमोरी प्रकार:Volatile
- घड़ीआवृत्ति:133 MHz
- पहूंच समय:6 ns
- मेमोरीफ़ॉर्मेट:DRAM
- मेमोरीइंटरफ़ेस:Parallel
- मेमोरीऑर्गनाइजेशन:16M x 32
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS42S32160A-75BLI द्वारा उपलब्ध कराया गया ISSI®
1988 में स्थापित, इंटीग्रेटेड सिलिकॉन सॉल्यूशन, इंक. (ISSI) एक सेमीकंडक्टर कंपनी है जो एकीकृत सर्किट (IC) और मेमोरी उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला के डिजाइन, विकास और निर्माण में माहिर है। हम निम्नलिखित प्रमुख बाजारों के लिए उच्च प्रदर्शन वाले एकीकृत सर्किट डिजाइन, विकसित और विपणन करते हैं: ऑटोमोटिव, औद्योगिक और चिकित्सा, संचार/उद्यम और डिजिटल उपभोक्ता। हमारे प्राथमिक उत्पाद उच्च गति और कम शक्ति वाले SRAM और कम और मध्यम घनत्व वाले DRAM, NOR/NAND फ्लैश और eMMC उत्पाद हैं। ISSI हमारे ग्राहकों की अनूठी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन और अनुप्रयोग-विशिष्ट समाधान भी प्रदान करता है। ISSI का क्षेत्रीय मुख्यालय कैलिफ़ोर्निया में है, जिसके दुनिया भर में मुख्यभूमि चीन, यूरोप, हांगकांग, भारत, इज़राइल, जापान, कोरिया, सिंगापुर और ताइवान और अमेरिका में कार्यालय हैं।
ISSI® संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।