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ISSI® IS42S32200E-6TL
उत्पादक मॉडल :IS42S32200E-6TL
उत्पादक :ISSI®
Dasenic मॉडल :IS42S32200E-6TL-DS
दस्तावेज़ : IS42S32200E-6TL दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 30000
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1.3887
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IS42S32200E-6TL सूचना
ISSI® IS42S32200E-6TL तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Obsolete
- パッケージ/ケース:86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
- テクノロジー:SDRAM
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
- 電圧供給:3V ~ 3.6V
- メモリサイズ:64Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- クロック周波数:166 MHz
- アクセス時間:5.5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の整理:2M x 32
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS42S32200E-6TL द्वारा उपलब्ध कराया गया ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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