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ISSI® IS43LR16128B-5BLI
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
- उत्पादक मॉडल :IS43LR16128B-5BLI
- उत्पादक :ISSI®
- Dasenic मॉडल :IS43LR16128B-5BLI-DS
- दस्तावेज़ :
IS43LR16128B-5BLI दस्तावेज़ - वर्णन : 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 23.5662कुल : $ 23.57
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10 + | $ 23.5662 | $ 235.66 |
| 300 + | $ 19.6385 | $ 5891.55 |
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ISSI® IS43LR16128B-5BLI तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:60-TFBGA
तकनीकी:SDRAM - Mobile LPDDR
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:60-TFBGA (8x10)
मेमोरी का आकार:2Gbit
मेमोरी प्रकार:Volatile
वोल्टेज - आपूर्ति:1.7V ~ 1.95V
घड़ी की आवृत्ति:208 MHz
पहूंच समय:5 ns
मेमोरी प्रारूप:DRAM
मेमोरी इंटरफ़ेस:Parallel
लेखन चक्र समय - शब्द, पृष्ठ:15ns
स्मृति संगठन:128M x 16
पैकेजिंग:Bulk
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS43LR16128B-5BLI
1988 में स्थापित, इंटीग्रेटेड सिलिकॉन सॉल्यूशन, इंक. (ISSI) एक सेमीकंडक्टर कंपनी है जो एकीकृत सर्किट (IC) और मेमोरी उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला के डिजाइन, विकास और निर्माण में माहिर है। हम निम्नलिखित प्रमुख बाजारों के लिए उच्च प्रदर्शन वाले एकीकृत सर्किट डिजाइन, विकसित और विपणन करते हैं: ऑटोमोटिव, औद्योगिक और चिकित्सा, संचार/उद्यम और डिजिटल उपभोक्ता। हमारे प्राथमिक उत्पाद उच्च गति और कम शक्ति वाले SRAM और कम और मध्यम घनत्व वाले DRAM, NOR/NAND फ्लैश और eMMC उत्पाद हैं। ISSI हमारे ग्राहकों की अनूठी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन और अनुप्रयोग-विशिष्ट समाधान भी प्रदान करता है। ISSI का क्षेत्रीय मुख्यालय कैलिफ़ोर्निया में है, जिसके दुनिया भर में मुख्यभूमि चीन, यूरोप, हांगकांग, भारत, इज़राइल, जापान, कोरिया, सिंगापुर और ताइवान और अमेरिका में कार्यालय हैं।
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