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IXYS IXDD509D1T/R
स्पॉट इन्वेंट्री: 10
MOQ: 1
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- उत्पादक मॉडल :IXDD509D1T/R
- उत्पादक :IXYS
- Dasenic मॉडल :IXDD509D1T/R-DS
- दस्तावेज़ : IXDD509D1T/R दस्तावेज़ PDF
- वर्णन : IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
- पैकिंग :-
- यूनिट मूल्यं: $0.0000कुल: $0.01
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IXYS IXDD509D1T/R तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
उत्पाद स्थिति:Obsolete
पैकेज / केस:6-VDFN Exposed Pad
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
वोल्टेज-आपूर्ति:4.5V ~ 30V
इनपुट प्रकार:Non-Inverting
चैनल प्रकार:Single
गेटटाइप:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ड्राइवरों की संख्या:1
उदय/पतन समय(सामान्य):25ns, 23ns
Driven Configuration:Low-Side
लॉजिकवोल्टेज- V I L V I H:0.8V, 2.4V
वर्तमान-पीकआउटपुट(सोर्ससिंक):9A, 9A
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXDD509D1T/R IXYS द्वारा प्रदान किया गया
1983 में सिलिकॉन वैली में अपनी स्थापना के बाद से, IXYS कॉर्पोरेशन (NASDAQ:IXYS) पावर सेमीकंडक्टर, सॉलिड स्टेट रिले, हाई वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट और माइक्रोकंट्रोलर के विकास में दुनिया भर में अग्रणी रहा है। औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता, चिकित्सा और परिवहन उद्योगों में 3,500 से अधिक के अंतिम ग्राहक आधार के साथ, IXYS उन्नत सेमीकंडक्टर का दुनिया भर में मान्यता प्राप्त प्रदाता है। IXYS विभिन्न सेमीकंडक्टर तकनीकों पर ध्यान केंद्रित करता है, जिसमें पावर MOSFETs, IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर), रेक्टिफायर, थाइरिस्टर, डायोड और अन्य असतत और एकीकृत सेमीकंडक्टर समाधान शामिल हैं। कंपनी मिश्रित-सिग्नल और एनालॉग IC, RF पावर एम्पलीफायर और पावर मैनेजमेंट IC भी बनाती है। जनवरी 2018 में, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) ने IXYS कॉर्पोरेशन का अधिग्रहण पूरा कर लिया और IXYS को NASDAQ से हटा दिया गया।
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रेटिंग और समीक्षाएं
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
Good Experience
Sarah M.
Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!
Satisfied
Mike R.
Accurate product description and arrived earlier than expected.
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