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IXYS VBO25-08NO2
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 38A FO-A
उत्पादक मॉडल :VBO25-08NO2
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :VBO25-08NO2-DS
दस्तावेज़ :
VBO25-08NO2 दस्तावेज़
VBO25-08NO2 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 38A FO-A
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 37.4023 | $ 37.4 |
| 10+ | $ 34.9554 | $ 349.55 |
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मात्रा :
मापक :$ 37.4023
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VBO25-08NO2 सूचना
IXYS VBO25-08NO2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:QC Terminal
- パッケージ/ケース:4-Square, FO-A
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:FO-A
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:800 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):38 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.36 V @ 55 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:300 µA @ 800 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
VBO25-08NO2 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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