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IXYS VUO190-18NO7
उत्पादक मॉडल :VUO190-18NO7
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :VUO190-18NO7-DS
दस्तावेज़ : VUO190-18NO7 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : BRIDGE RECT 3P 1.8KV 248A PWS-E1
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स्पॉट इन्वेंट्री: 1920
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पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
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VUO190-18NO7 सूचना
IXYS VUO190-18NO7 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:PWS-E
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:PWS-E
- ダイオードタイプ:Three Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧(最大):1.8 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):248 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.07 V @ 80 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:200 µA @ 1800 V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
VUO190-18NO7 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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