आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं

Share

1 : $7.9560

$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • PN Junction Semiconductor P3D06020P3

    DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO3PF-3
  • part number has RoHS
  • उत्पादक मॉडल :P3D06020P3
  • उत्पादक :PN Junction Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :P3D06020P3-DS
  • दस्तावेज़ :pdf download P3D06020P3 दस्तावेज़
  • वर्णन : DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO3PF-3
  • पैकिंग :-
  • मात्रा :
    मापक : $ 7.956कुल : $ 7.96
  • प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
  • शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
  • वितरण :
    dhlupsfedex
  • भुगतान :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
स्पॉट इन्वेंट्री: 1680
( MOQ : 1 PCS )
मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रामापककुल
1 +$ 7.9560$ 7.96
11 +$ 7.1910$ 79.10
101 +$ 5.9508$ 601.03
501 +$ 5.1714$ 2590.87
1001 +$ 4.5270$ 4531.53

कोट अनुरोध करें

अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें

सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज

समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी

बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें

PN Junction Semiconductor P3D06020P3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:-
パッケージ/ケース:TO-3PF-3
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3PF-3
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):40A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:-
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:44 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C (TJ)
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3D06020P3
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
PN Junction Semiconductor संबंधित उत्पाद सिफारिशें

हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।

रेटिंग और समीक्षाएं

रेटिंग

कृपया उत्पाद को रेटिंग दें!

कृपया अपने खाते में लॉग इन करने के बाद टिप्पणियाँ सबमिट करें।

  • RFQ