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Renesas Electronics HIP6603BECB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :HIP6603BECB
उत्पादक :Renesas Electronics
Dasenic मॉडल :HIP6603BECB-DS
दस्तावेज़ :pdf download HIP6603BECB दस्तावेज़
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वर्णन : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
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10+$ 0.0090$ 0.09
100+$ 0.0090$ 0.9
500+$ 0.0090$ 4.5
1000+$ 0.0090$ 9
स्पॉट इन्वेंट्री: 32000
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.009
कुल :$ 0.01
वितरण :
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HIP6603BECB सूचना

  • Renesas Electronics HIP6603BECB तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:0°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
  • 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
  • チャンネルタイプ:Synchronous
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):-
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):15 V
  • 上昇/下降時間(標準):20ns, 20ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HIP6603BECB द्वारा उपलब्ध कराया गया Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ(SoC)、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境(IDE)は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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