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  • Rochester Electronics NDD03N60Z-1G

    MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
  • part number has RoHS
  • उत्पादक मॉडल :NDD03N60Z-1G
  • उत्पादक :Rochester Electronics
  • Dasenic मॉडल :NDD03N60Z-1G-DS
  • दस्तावेज़ :pdf download NDD03N60Z-1G दस्तावेज़
  • वर्णन : MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
  • पैकिंग :-
  • मात्रा :
    मापक : $ 0.1755कुल : $ 0.18
  • प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
  • शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
  • वितरण :
    dhlupsfedex
  • भुगतान :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
स्पॉट इन्वेंट्री: 21545
( MOQ : 1 PCS )
मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रामापककुल
1 +$ 0.1755$ 0.18
25 +$ 0.1720$ 4.30
100 +$ 0.1650$ 16.50
500 +$ 0.1580$ 79.00
1000 +$ 0.1492$ 149.20

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Rochester Electronics NDD03N60Z-1G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:I-PAK
消費電力(最大):61W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 50µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:312 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±30V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Rochester Electronics NDD03N60Z-1G
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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