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Five-star Certification

ROHM Semiconductor BD16952EFV-ME2

स्पॉट इन्वेंट्री: 6000
MOQ: 1
5 मूल्य स्तर
  • उत्पादक मॉडल :BD16952EFV-ME2
  • उत्पादक :ROHM Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :BD16952EFV-ME2-DS
  • दस्तावेज़ : BD16952EFV-ME2 दस्तावेज़ PDF
  • वर्णन : IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
  • पैकिंग :-
  • यूनिट मूल्यं: $2.0655
    कुल: $2.07
मात्रायूनिट मूल्यंसहेजें
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ROHM Semiconductor BD16952EFV-ME2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:24-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
इनपुट प्रकार:Non-Inverting
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:24-HTSSOP-B
वोल्टेज - आपूर्ति:3V ~ 5.5V
चैनल प्रकार:Independent
संचालित विन्यास:Half-Bridge
ड्राइवरों की संख्या:2
गेट का प्रकार:N-Channel MOSFET
लॉजिक वोल्टेज - V I L, V I H:-
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):-
हाई साइड वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप):-
उदय / पतन समय (सामान्य):-
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:REACH is not affected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BD16952EFV-ME2 ROHM Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया
ROHM Semiconductor (TYO:6963) दुनिया के अग्रणी सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक घटक निर्माताओं में से एक है। 1958 में स्थापित, यह एक बहुराष्ट्रीय समूह कंपनी है जिसका मुख्यालय क्योटो, जापान में है। ROHM ने अपनी स्थापना के बाद से 60 से अधिक वर्षों में अपनी डिजाइन और विनिर्माण प्रौद्योगिकियों, गुणवत्ता आश्वासन प्रौद्योगिकियों और समाधान प्रस्ताव क्षमताओं का निर्माण करके अपने व्यवसाय डोमेन का विस्तार किया है। अपने लंबे इतिहास में संचित इन प्रौद्योगिकियों और क्षमताओं में चार मुख्य विशेषताएं हैं: इंटीग्रल प्रौद्योगिकियां, IDM (एकीकृत डिवाइस निर्माता के रूप में वर्टिकल इंटीग्रेशन), उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला और ग्राहक अभिविन्यास। हमारा ध्यान पावर और एनालॉग प्रौद्योगिकी समाधानों पर है जहां हम इन शक्तियों का अधिकतम लाभ उठा सकते हैं, हम अपने ग्राहकों को उच्च जोड़ा मूल्य प्रदान करेंगे और सामाजिक मुद्दों को हल करने में योगदान देंगे।

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रेटिंग और समीक्षाएं
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John D.

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Sarah M.

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