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ROHM Semiconductor BD99958GW-E2

स्पॉट इन्वेंट्री: 51
MOQ: 1
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  • उत्पादक मॉडल :BD99958GW-E2
  • उत्पादक :ROHM Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :BD99958GW-E2-DS
  • दस्तावेज़ : BD99958GW-E2 दस्तावेज़ PDF
  • वर्णन : IC BAT MON LI-ION 1-4C UCSP55M3C
  • पैकिंग :-
  • यूनिट मूल्यं: $0.0000
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ROHM Semiconductor BD99958GW-E2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Battery Management
उत्पाद स्थिति:Obsolete
परिचालन तापमान:-30°C ~ 85°C
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:41-UFBGA, CSPBGA
बैटरी रसायन विज्ञान:Lithium Ion/Polymer
कोशिकाओं की संख्या:1 ~ 4
इंटरफ़ेस:I²C, SMBus
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:UCSP55M3C
दोष संरक्षण:Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
समारोह:Battery Monitor
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BD99958GW-E2 ROHM Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया
ROHM Semiconductor (TYO:6963) दुनिया के अग्रणी सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक घटक निर्माताओं में से एक है। 1958 में स्थापित, यह एक बहुराष्ट्रीय समूह कंपनी है जिसका मुख्यालय क्योटो, जापान में है। ROHM ने अपनी स्थापना के बाद से 60 से अधिक वर्षों में अपनी डिजाइन और विनिर्माण प्रौद्योगिकियों, गुणवत्ता आश्वासन प्रौद्योगिकियों और समाधान प्रस्ताव क्षमताओं का निर्माण करके अपने व्यवसाय डोमेन का विस्तार किया है। अपने लंबे इतिहास में संचित इन प्रौद्योगिकियों और क्षमताओं में चार मुख्य विशेषताएं हैं: इंटीग्रल प्रौद्योगिकियां, IDM (एकीकृत डिवाइस निर्माता के रूप में वर्टिकल इंटीग्रेशन), उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला और ग्राहक अभिविन्यास। हमारा ध्यान पावर और एनालॉग प्रौद्योगिकी समाधानों पर है जहां हम इन शक्तियों का अधिकतम लाभ उठा सकते हैं, हम अपने ग्राहकों को उच्च जोड़ा मूल्य प्रदान करेंगे और सामाजिक मुद्दों को हल करने में योगदान देंगे।

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Sarah M.

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