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Five-star Certification

ROHM Semiconductor BR24G02FVM-3GTTR

स्पॉट इन्वेंट्री: 10600
MOQ: 1
5 मूल्य स्तर
  • उत्पादक मॉडल :BR24G02FVM-3GTTR
  • उत्पादक :ROHM Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :BR24G02FVM-3GTTR-DS
  • दस्तावेज़ : BR24G02FVM-3GTTR दस्तावेज़ PDF
  • वर्णन : IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP
  • पैकिंग :-
  • यूनिट मूल्यं: $0.2610
    कुल: $0.26
मात्रायूनिट मूल्यंसहेजें
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ROHM Semiconductor BR24G02FVM-3GTTR तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।

श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
तकनीकी:EEPROM
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-MSOP
मेमोरी का आकार:2Kb (256 x 8)
मेमोरी प्रकार:Non-Volatile
वोल्टेज - आपूर्ति:1.6V ~ 5.5V
घड़ी की आवृत्ति:400 kHz
पहूंच समय:-
मेमोरी प्रारूप:EEPROM
मेमोरी इंटरफ़ेस:I²C
लेखन चक्र समय - शब्द, पृष्ठ:5ms
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8542.32.0051
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BR24G02FVM-3GTTR ROHM Semiconductor द्वारा प्रदान किया गया
ROHM Semiconductor (TYO:6963) दुनिया के अग्रणी सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक घटक निर्माताओं में से एक है। 1958 में स्थापित, यह एक बहुराष्ट्रीय समूह कंपनी है जिसका मुख्यालय क्योटो, जापान में है। ROHM ने अपनी स्थापना के बाद से 60 से अधिक वर्षों में अपनी डिजाइन और विनिर्माण प्रौद्योगिकियों, गुणवत्ता आश्वासन प्रौद्योगिकियों और समाधान प्रस्ताव क्षमताओं का निर्माण करके अपने व्यवसाय डोमेन का विस्तार किया है। अपने लंबे इतिहास में संचित इन प्रौद्योगिकियों और क्षमताओं में चार मुख्य विशेषताएं हैं: इंटीग्रल प्रौद्योगिकियां, IDM (एकीकृत डिवाइस निर्माता के रूप में वर्टिकल इंटीग्रेशन), उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला और ग्राहक अभिविन्यास। हमारा ध्यान पावर और एनालॉग प्रौद्योगिकी समाधानों पर है जहां हम इन शक्तियों का अधिकतम लाभ उठा सकते हैं, हम अपने ग्राहकों को उच्च जोड़ा मूल्य प्रदान करेंगे और सामाजिक मुद्दों को हल करने में योगदान देंगे।

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रेटिंग और समीक्षाएं
Great Product

John D.

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Sarah M.

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