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  • GeneSiC Semiconductor 1N1183R

    DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5
  • part number has RoHS
  • उत्पादक मॉडल :1N1183R
  • उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic मॉडल :1N1183R-DS
  • दस्तावेज़ :pdf download 1N1183R दस्तावेज़
  • वर्णन : DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5
  • पैकिंग :-
  • मात्रा :
    मापक : $ 141.1कुल : $ 141.10
  • प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
  • शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
  • वितरण :
    dhlupsfedex
  • भुगतान :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
स्पॉट इन्वेंट्री: 2728
( MOQ : 1 PCS )
मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
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GeneSiC Semiconductor 1N1183R तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ:DO-5
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
電流 - 平均整流 ( Io):35A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.2 V @ 35 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 50 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):50 V
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-65°C ~ 190°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor 1N1183R
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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