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Vishay S1JHE3_A/I
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- उत्पादक मॉडल :S1JHE3_A/I
- उत्पादक :Vishay
- Dasenic मॉडल :S1JHE3_A/I-DS
- दस्तावेज़ :
S1JHE3_A/I दस्तावेज़
- वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 0.081कुल : $ 0.08
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
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स्पॉट इन्वेंट्री: 34406
( MOQ : 1 PCS )मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रा | मापक | कुल |
1 + | $ 0.0810 | $ 0.08 |
100 + | $ 0.0270 | $ 2.70 |
500 + | $ 0.0270 | $ 13.50 |
1000 + | $ 0.0180 | $ 18.00 |
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Vishay S1JHE3_A/I तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
उत्पाद स्थिति:Active
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-214AC (SMA)
रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
डायोड प्रकार:Standard
वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):1A
वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.1 V @ 1 A
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:1 µA @ 600 V
धारिता @ Vr, F:12pF @ 4V, 1MHz
वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):600 V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):1.8 µs
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
यूएस ईसीसीएन:EAR99
एचटीएस यूएस:8541.10.0080
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Vishay S1JHE3_A/I
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
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