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Vishay S2M-E3/5BT
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
उत्पादक मॉडल :S2M-E3/5BT
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :S2M-E3/5BT-DS
दस्तावेज़ :
S2M-E3/5BT दस्तावेज़
S2M-E3/5BT दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.0675 | $ 0.68 |
| 6400+ | $ 0.0375 | $ 240 |
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S2M-E3/5BT सूचना
Vishay S2M-E3/5BT तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:DO-214AA, SMB
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-214AA (SMB)
- रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- डायोड प्रकार:Standard
- वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):1.5A
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.15 V @ 1.5 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:1 µA @ 1000 V
- धारिता @ Vr, F:16pF @ 4V, 1MHz
- वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1000 V
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):2 µs
- ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0080
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
S2M-E3/5BT द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
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