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Goford Semiconductor GT088N06T
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
उत्पादक मॉडल :GT088N06T
उत्पादक :Goford Semiconductor
Dasenic मॉडल :GT088N06T-DS
दस्तावेज़ :
GT088N06T दस्तावेज़
GT088N06T दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.4520 | $ 4.52 |
| 2000+ | $ 0.3013 | $ 602.6 |
| 6000+ | $ 0.2892 | $ 1735.2 |
| 16000+ | $ 0.2835 | $ 4536 |
| 30000+ | $ 0.2673 | $ 8019 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 27437
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.452
कुल :$ 0.45
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GT088N06T सूचना
Goford Semiconductor GT088N06T तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:75W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1620 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT088N06T द्वारा उपलब्ध कराया गया Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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