आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं
1 : $5.7420
$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !
ISSI® IS66WVH32M8DALL-166B1LI
उत्पादक मॉडल :IS66WVH32M8DALL-166B1LI
उत्पादक :ISSI®
Dasenic मॉडल :IS66WVH32M8DALL-166B1LI-DS
दस्तावेज़ : IS66WVH32M8DALL-166B1LI दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 1
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 6786
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 5.742
कुल :$ 5.74
वितरण :
भुगतान :
अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें
सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज
समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी
बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें
IS66WVH32M8DALL-166B1LI सूचना
ISSI® IS66WVH32M8DALL-166B1LI तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:24-TBGA
- तकनीकी:PSRAM (Pseudo SRAM)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:24-TFBGA (6x8)
- मेमोरी का आकार:256Mbit
- मेमोरी प्रकार:Volatile
- वोल्टेज - आपूर्ति:1.7V ~ 1.95V
- घड़ी की आवृत्ति:166 MHz
- पहूंच समय:36 ns
- मेमोरी प्रारूप:PSRAM
- मेमोरी इंटरफ़ेस:Parallel
- लेखन चक्र समय - शब्द, पृष्ठ:36ns
- स्मृति संगठन:32M x 8
- पैकेजिंग:Tray
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS66WVH32M8DALL-166B1LI द्वारा उपलब्ध कराया गया ISSI®
1988 में स्थापित, इंटीग्रेटेड सिलिकॉन सॉल्यूशन, इंक. (ISSI) एक सेमीकंडक्टर कंपनी है जो एकीकृत सर्किट (IC) और मेमोरी उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला के डिजाइन, विकास और निर्माण में माहिर है। हम निम्नलिखित प्रमुख बाजारों के लिए उच्च प्रदर्शन वाले एकीकृत सर्किट डिजाइन, विकसित और विपणन करते हैं: ऑटोमोटिव, औद्योगिक और चिकित्सा, संचार/उद्यम और डिजिटल उपभोक्ता। हमारे प्राथमिक उत्पाद उच्च गति और कम शक्ति वाले SRAM और कम और मध्यम घनत्व वाले DRAM, NOR/NAND फ्लैश और eMMC उत्पाद हैं। ISSI हमारे ग्राहकों की अनूठी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन और अनुप्रयोग-विशिष्ट समाधान भी प्रदान करता है। ISSI का क्षेत्रीय मुख्यालय कैलिफ़ोर्निया में है, जिसके दुनिया भर में मुख्यभूमि चीन, यूरोप, हांगकांग, भारत, इज़राइल, जापान, कोरिया, सिंगापुर और ताइवान और अमेरिका में कार्यालय हैं।
ISSI® संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।