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IXYS IXDN409SIA
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- उत्पादक मॉडल :IXDN409SIA
- उत्पादक :IXYS
- Dasenic मॉडल :IXDN409SIA-DS
- दस्तावेज़ :
IXDN409SIA दस्तावेज़
- वर्णन : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 7.142कुल : $ 7.14
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
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IXYS IXDN409SIA तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
उत्पाद स्थिति:Obsolete
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
इनपुट प्रकार:Non-Inverting
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SOIC
वोल्टेज - आपूर्ति:4.5V ~ 35V
चैनल प्रकार:Single
संचालित विन्यास:Low-Side
ड्राइवरों की संख्या:1
गेट का प्रकार:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
लॉजिक वोल्टेज - V I L, V I H:0.8V, 3.5V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):9A, 9A
हाई साइड वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप):-
उदय / पतन समय (सामान्य):10ns, 10ns
ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXDN409SIA
1983 में सिलिकॉन वैली में अपनी स्थापना के बाद से, IXYS कॉर्पोरेशन (NASDAQ:IXYS) पावर सेमीकंडक्टर, सॉलिड स्टेट रिले, हाई वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट और माइक्रोकंट्रोलर के विकास में दुनिया भर में अग्रणी रहा है। औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता, चिकित्सा और परिवहन उद्योगों में 3,500 से अधिक के अंतिम ग्राहक आधार के साथ, IXYS उन्नत सेमीकंडक्टर का दुनिया भर में मान्यता प्राप्त प्रदाता है। IXYS विभिन्न सेमीकंडक्टर तकनीकों पर ध्यान केंद्रित करता है, जिसमें पावर MOSFETs, IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर), रेक्टिफायर, थाइरिस्टर, डायोड और अन्य असतत और एकीकृत सेमीकंडक्टर समाधान शामिल हैं। कंपनी मिश्रित-सिग्नल और एनालॉग IC, RF पावर एम्पलीफायर और पावर मैनेजमेंट IC भी बनाती है। जनवरी 2018 में, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) ने IXYS कॉर्पोरेशन का अधिग्रहण पूरा कर लिया और IXYS को NASDAQ से हटा दिया गया।
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