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Kioxia America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
- उत्पादक मॉडल :TC58BYG2S0HBAI6
- उत्पादक :Kioxia America, Inc.
- Dasenic मॉडल :TC58BYG2S0HBAI6-DS
- दस्तावेज़ :
TC58BYG2S0HBAI6 दस्तावेज़
- वर्णन : IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 4.563कुल : $ 4.56
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
- भुगतान :
स्पॉट इन्वेंट्री: 1797
( MOQ : 1 PCS )मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रा | मापक | कुल |
1 + | $ 4.5630 | $ 4.56 |
10 + | $ 4.0509 | $ 40.51 |
25 + | $ 4.5630 | $ 114.08 |
40 + | $ 3.7712 | $ 150.85 |
80 + | $ 3.6383 | $ 291.06 |
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Kioxia America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
उत्पाद स्थिति:Active
परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / केस:67-VFBGA
तकनीकी:FLASH - NAND (SLC)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:67-VFBGA (6.5x8)
मेमोरी का आकार:4Gb (512M x 8)
मेमोरी प्रकार:Non-Volatile
वोल्टेज - आपूर्ति:1.7V ~ 1.95V
घड़ी की आवृत्ति:-
पहूंच समय:25 ns
मेमोरी प्रारूप:Flash
मेमोरी इंटरफ़ेस:Parallel
लेखन चक्र समय - शब्द, पृष्ठ:25ns
ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
यूएस ईसीसीएन:3A991B1A
एचटीएस यूएस:8542.32.0071
चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Kioxia America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6
किओक्सिया अमेरिका, इंक. (पूर्व में तोशिबा मेमोरी अमेरिका, इंक.) किओक्सिया कॉर्पोरेशन की अमेरिका स्थित सहायक कंपनी है, जो फ्लैश मेमोरी और सॉलिड स्टेट ड्राइव (एसएसडी) की दुनिया भर में अग्रणी आपूर्तिकर्ता है। फ्लैश मेमोरी के आविष्कार से लेकर आज की सफल BiCS FLASH™ 3D तकनीक तक, किओक्सिया अत्याधुनिक मेमोरी समाधानों और सेवाओं में अग्रणी बना हुआ है जो लोगों के जीवन को समृद्ध बनाते हैं और समाज के क्षितिज का विस्तार करते हैं। कंपनी की अभिनव 3D फ्लैश मेमोरी तकनीक, BiCS FLASH™, उन्नत स्मार्टफोन, पीसी, एसएसडी, ऑटोमोटिव और डेटा सेंटर सहित उच्च घनत्व वाले अनुप्रयोगों में भंडारण के भविष्य को आकार दे रही है।
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