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Kioxia America, Inc. TH58NYG3S0HBAI4
उत्पादक मॉडल :TH58NYG3S0HBAI4
उत्पादक :Kioxia America, Inc.
Dasenic मॉडल :TH58NYG3S0HBAI4-DS
दस्तावेज़ : TH58NYG3S0HBAI4 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 1710
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TH58NYG3S0HBAI4 सूचना
Kioxia America, Inc. TH58NYG3S0HBAI4 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:63-VFBGA
- तकनीकी:FLASH - NAND (SLC)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:63-TFBGA (9x11)
- मेमोरी का आकार:8Gb (1G x 8)
- मेमोरी प्रकार:Non-Volatile
- वोल्टेज - आपूर्ति:1.7V ~ 1.95V
- घड़ी की आवृत्ति:-
- पहूंच समय:25 ns
- मेमोरी प्रारूप:Flash
- मेमोरी इंटरफ़ेस:Parallel
- लेखन चक्र समय - शब्द, पृष्ठ:25ns
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:3A991B1A
- एचटीएस यूएस:8542.32.0051
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TH58NYG3S0HBAI4 द्वारा उपलब्ध कराया गया Kioxia America, Inc.
किओक्सिया अमेरिका, इंक. (पूर्व में तोशिबा मेमोरी अमेरिका, इंक.) किओक्सिया कॉर्पोरेशन की अमेरिका स्थित सहायक कंपनी है, जो फ्लैश मेमोरी और सॉलिड स्टेट ड्राइव (एसएसडी) की दुनिया भर में अग्रणी आपूर्तिकर्ता है। फ्लैश मेमोरी के आविष्कार से लेकर आज की सफल BiCS FLASH™ 3D तकनीक तक, किओक्सिया अत्याधुनिक मेमोरी समाधानों और सेवाओं में अग्रणी बना हुआ है जो लोगों के जीवन को समृद्ध बनाते हैं और समाज के क्षितिज का विस्तार करते हैं। कंपनी की अभिनव 3D फ्लैश मेमोरी तकनीक, BiCS FLASH™, उन्नत स्मार्टफोन, पीसी, एसएसडी, ऑटोमोटिव और डेटा सेंटर सहित उच्च घनत्व वाले अनुप्रयोगों में भंडारण के भविष्य को आकार दे रही है।
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